01.03.2024

Samsung представила инновационный чип искусственного интеллекта с «самым большим объемом памяти в мире»

Samsung Electronics объявила о создании инновационного чипа с высокой пропускной способностью, который обладает «наивысшей в отрасли емкостью на сегодняшний день». Производители утверждают, что новый чип HBM3E 12H повысит производительность и емкость на более чем 50%.

«В сфере искусственного интеллекта поставщикам услуг все чаще требуются HBM с большей емкостью, и наш новый продукт HBM3E 12H создан, чтобы удовлетворить этот запрос», — отметил Йонгчеол Бэ, исполнительный вице-президент по планированию продуктов памяти в Samsung Electronics. «Это новое памятное решение является частью наших усилий в разработке ключевых технологий для высокопроизводительных HBM, обеспечивая технологическое лидерство на рынке высокопроизводительных HBM в эпоху искусственного интеллекта», — добавил он.

Samsung представила инновационный чип искусственного интеллекта с "самым большим объемом памяти в мире"

Samsung Electronics, мировой лидер в производстве динамической оперативной памяти, применяемой в устройствах для потребителей, таких как смартфоны и компьютеры, представила новый высокопроизводительный чип, обладающий «самой высокой в отрасли емкостью на текущий момент». Генеративные модели искусственного интеллекта, вроде ChatGPT от OpenAI, требуют значительного количества микросхем памяти для эффективной работы. Эти чипы позволяют таким моделям запоминать детали предыдущих разговоров и предпочтения пользователей для создания более человекоподобных ответов.

Рост интереса к искусственному интеллекту продолжает стимулировать производителей чипов. Компания Nvidia, американский разработчик чипов, сообщила о резком увеличении доходов в четвертом финансовом квартале на 265%, благодаря взрывному росту спроса на свои графические процессоры, тысячи из которых используются для запуска и обучения ChatGPT. Генеральный директор Nvidia, Дженсен Хуанг, в ходе беседы с аналитиками выразил опасения относительно возможности компании поддерживать такой уровень роста и продаж в течение всего года.

«С увеличением приложений искусственного интеллекта в геометрической прогрессии ожидается, что HBM3E 12H станет оптимальным решением для будущих систем, требующих больше памяти. Его улучшенная производительность и емкость позволят клиентам более гибко управлять своими ресурсами и снизить общую стоимость владения центрами обработки данных», — заявили в Samsung Electronics.

Кроме того, Samsung объявила о начале тестирования чипа для клиентов, а массовое производство HBM3E 12H запланировано на первую половину 2024 года. Аналитики считают, что Samsung, вероятно, столкнется с «очень сильным» увеличением прибыли. Исполнительный директор Daiwa Securities, С.К. Ким, отметил, что новость будет положительной для акций Samsung, поскольку компания прошлый год занимала второе место после SK Hynix в производстве HBM3 для Nvidia. Также было объявлено, что Micron начинает массовое производство 8-литрового накопителя HBM3E емкостью 24 ГБ, что, по мнению аналитика, обеспечит Nvidia лидерство в производстве продуктов HBM3E с более высоким уровнем (12L) и более высокой плотностью (36 ГБ).

Ранее Samsung заключила сделку по поставке Nvidia чипов высокой пропускной способности, согласно сообщению Korea Economic Daily, ссылающемуся на анонимные источники в отрасли. SK Hynix, второй по величине производитель чипов памяти в Южной Корее, представляет собой лидера в сегменте высокопроизводительных чипов памяти. Ранее SK Hynix была единственным массовым производителем чипов HBM3, поставляемых Nvidia.

Samsung отметила, что HBM3E 12H имеет 12-слойный пакет, при этом применена усовершенствованная термокомпрессионная непроводящая пленка, позволяющая 12-слойным продуктам сохранять ту же высоту, что и 8-слойные, для соответствия текущим требованиям к упаковке HBM. Таким образом, достигается чип с более высокой вычислительной мощностью без увеличения физической площади.

«Samsung продолжает уменьшать толщину своего материала NCF, достигнув наименьшего в отрасли зазора между чипами в семь микрометров, одновременно устраняя пустоты между слоями», — отметили в Samsung. — «Эти усилия приводят к увеличению вертикальной плотности более чем на 20% по сравнению с продуктом HBM3 8H».

Ранее Samsung объявила о работе над умным кольцом под названием Galaxy Ring, которое было представлено в конце мероприятия Galaxy Unpacked. Описание устройства коротко охарактеризовали как «мощное и доступное» средство для поддержания здоровья и благополучия.

Оцените статью
ODELAX.RU
Подписаться
Уведомить о
guest
0 комментариев
Межтекстовые Отзывы
Посмотреть все комментарии
0
Оставьте комментарий! Напишите, что думаете по поводу статьи.x
()
x

Проверить франшизу

Спасибо
Ваша заявка отправлена
Скоро мы свяжемся с Вами